安泰科技15日公告称，拟投资约8.56亿元建设四大项目，其中约3.52亿元投向LED半导体配套项目。

　　据公告披露，安泰科技此次拟投资的四大项目分别为LED半导体配套难熔材料制品产业化项目，该项目年产LED半导体用高性能钨钼材料1630吨;高性能特种焊接材料产业化项目，计划新增年产18720吨高性能特种焊接材料，建设一个材料表面改性和修复中心;高端粉末冶金制品产业化项目，拟新增雾化制粉产能2000吨/年，金属注射成型产品约100吨/年，金属多孔材料3600平方米/年等;高性能纳米晶超薄带及制品产业化项目，拟年产3000吨纳米晶超薄带、2000吨元器件制品。上述4个项目建设期各约2年。

　　上述4大项目的资金来源均为自有资金和银行贷款。其中LED半导体配套难熔材料制品产业化项目总投资3.52亿元;高性能特种焊接材料产业化项目总投资2.03亿元;高端粉末冶金制品产业化项目投资1.03亿元;高性能纳米晶超薄带及制品产业化项目投资1.98亿元。资料显示，截至今年9月底，安泰科技货币资金为6.87亿元。经营活动现金净流量2380.78万元。

　　安泰科技表示，此次投资主要目的为扩大相关领域生产能力，满足相关新兴高端市场需求，进一步提升上述业务的竞争能力。其中公司因拥有钨钼烧结制品生产的技术和竞争优势，LED半导体项目实施将进一步提升技术水平、迅速扩大产能。另外，纳米晶超薄带是核心业务领域之一，产品在光伏太阳能、电动汽车、智能电网等新能源领域需求潜力较大。故该项目的实施将进一步提高生产能力，扩大纳米晶产品在高端、新兴领域的推广应用。

　　今年上半年，安泰科技的超硬及难熔材料制品销售良好，该业务占主营业务收入比重的38%。另外，功能材料制品、精细金属制品则分别占主营收入比重的15%和17%。

　　值得一提的是，除上述拟建设的4大项目外，公司目前还有多个项目在建。据海通证券研报，公司近5年来有4个募投项目，其中包括高性能难熔材料及制品产业化项目。整体看，公司多个在建项目明年陆续投产，未来盈利能力大幅提升。预计2010年、2011年、2012年的每股收益将分别达到0.31元、0.45元和0.71元。